WALTER SCHOTTKY – Ringträger 1964

Walter Schottky
* 23. Juli 1886 in Zürich
+ 4. März 1976 in Pretzfeld

Walter Schottky lieferte bahnbrechende Arbeiten zum physikalischen Verständnis vieler Erscheinungen. Ihre theoretische Beherrschung hat bedeutende technische Anwendungen, besonders bei Verstärkerröhren und Halbleitern, wesentlich gefördert.

Walter Schottky wurde gemeinsam mit FRITZ LEONHARDT und KONRAD ZUSE geehrt.

Walter Schottky wurde am 23. Juli 1886 in Zürich als Sohn des Mathematikers Friedrich Schottky geboren. Er wuchs in Marburg und Berlin auf, von deren Universitäten sein Vater 1892 bzw. 1902 auf Professuren berufen worden war. Nach dem Abitur 1904 in Berlin nahm Walter Schottky ein natur­wissenschaftliches Studium an der Berliner Universität auf. Zu seinen akademischen Lehrern zählten dort die spä­teren Physik-Nobelpreisträger Max Planck, bei dem er 1912 promovierte, Wilhelm Wien, Albert Einstein, Walter Nernst und Max von Laue. Von 1912 bis 1915 war er Assistent an der Universität Jena, wo er das Verhalten von Elektronen nach dem Austritt aus Metallober­flächen untersuchte. Er kehrte 1915 nach Berlin zurück und wurde Mitarbeiter im Schwach­stromkabel-Laboratorium der Firma Siemens & Halske. Hier erfand er die Raumladungs-gitterröhre und die Schirmgitterröhre oder Tetrode, die am Beginn der Entwicklung von leistungsfähigen Elektronen­röhren für Verstärker stehen. Er untersuchte den „Schrotef­fekt“, das durch die Elektronen verursachte Röhrenrauschen, und erfand den Überlagerungs-empfänger, dessen „Superheterodynprinzip“ grundlegend für die Rundfunktechnik werden sollte. 1920 habilitierte er bei Wilhelm Wien in Würzburg, wo er bis 1922 Privatdozent war. Er wurde 1923 zum außerordentlichen Professor für Theoretische Physik an der Universität Rostock berufen, die er aber schon 1927 verließ. Schottky ging zu den Siemens-Schuckert-Werken, zunächst in Berlin und ab 1941 im oberfränkischen Pretzfeld, wo er bis zu seiner Pensionierung 1951 als Forscher arbeitete. In dieser Zeit untersuchte er die physikalischen Eigenschaften von Halbleitern, und er ent­wickelte Modellvorstellungen und Theorien, die die wis­senschaftlichen Grundlagen der Halbleiterphysik und der Transistortechnik wurden. So zählte der amerikanische Physi­ker und Nobelpreisträger John Bardeen die Theorien Schottkys zu den bedeutenden Vorar­beiten für die Erfindung des Transistors. Zahlreiche Begriffe aus der Halbleiterphysik sind mit Schottkys Namen verbun­den. Er erhielt viele Auszeich­nungen, so die Hughes-Medal der Royal Society, London, die Ehrendoktorwürde der Technischen Hochschulen Darmstadt und Zürich und der Technischen Universität Berlin sowie den Siemens-Ring, der ihm 1965 vom Bundespräsiden­ten Lübke überreicht wurde. 1973 wurde ihm zu Ehren der Walter-Schottky-Preis für Festkörperforschung ins Leben gerufen, den die Deutsche Phy­sikalische Gesellschaft jährlich verleiht. Walter Schottky ist am 4. März 1976 in Forchheim gestorben.

Werdegang

Studium der Physik und Chemie in Berlin, Promotion bei Max Planck. 1912-1914 Physikalisches Institut an der Universität Jena, 1915-1919 wissenschaftl. Mitarbeiter im Forschungslaboratorium von Siemens & Halske in Berlin. 1918 Erfindung des Superheterodyn-Prinzips und der Mehrgitter-Elektronenröhre als Grundlage der gesamten Radio-Empfangstechnik.

1920 Tätigkeit an der Universität Würzburg mit Habilitation. 1923-1927 Professor für Theoretische Physik in Rostock.

1927-1943 erneut wissenschaftliche Tätigkeit im Siemens-Forschungslaboratorium in Berlin, ab 1946 beratende Tätigkeit im Halbleiterlaboratorium der Siemens-Schuckert-Werke in Pretzfeld ab 1950 auch für das Siemens-Forschungslaboratorium in Erlangen.